三星将采用台积电 3 纳米工艺为英伟达生产定制 HBM 基底裸片

三星电子将采用台积电 3 纳米制程，为英伟达生产下一代定制 HBM 芯片基底裸片。英伟达要求三星、SK 海力士和美光科技统一采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片并使用第六代 DRAM 技术。此外，三星计划继续自主生产标准 HBM 和其他客户的定制产品。