英伟达要求生产定制NVHBM，三星将采用台积电3nm制程
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英伟达要求生产定制NVHBM，三星将采用台积电3nm制程
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AI 综述
三星电子已决定接受英伟达的技术要求，将采用台积电 3 纳米制程为英伟达生产下一代定制 NVHBM 芯片的基底裸片。 英伟达要求三星电子、SK 海力士和美光科技统一采用台积电制程制造 NVHBM 基底裸片，核心裸片则采用第六代 DRAM 技术。三星电子对涉及客户的具体事项表示不予评论，并计划继续自主生产标准 HBM 和其他客户的定制产品。
AI 根据报道生成 · 2 小时前更新
最新进展10月19日 18:42
英伟达要求三星等厂商生产定制化 NVHBM报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月19日
- 链捕手 ChainCatcher英伟达要求三星等厂商生产定制化 NVHBM
英伟达已要求三星电子、SK 海力士和美光科技为其生产定制化 NVHBM，基底裸片需采用台积电 3nm 制程，核心裸片则采用第六代 DRAM 技术。三星电子已决定接受英伟达的技术要求，但对涉及客户的具体事项不予评论。
10月18日
- 链捕手 ChainCatcher三星将采用台积电 3 纳米工艺为英伟达生产定制 HBM 基底裸片
三星电子将采用台积电 3 纳米制程，为英伟达生产下一代定制 HBM 芯片基底裸片。英伟达要求三星、SK 海力士和美光科技统一采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片并使用第六代 DRAM 技术。此外，三星计划继续自主生产标准 HBM 和其他客户的定制产品。
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