英伟达要求三星等厂商生产定制化 NVHBM

英伟达已要求三星电子、SK 海力士和美光科技为其生产定制化 NVHBM，基底裸片需采用台积电 3nm 制程，核心裸片则采用第六代 DRAM 技术。三星电子已决定接受英伟达的技术要求，但对涉及客户的具体事项不予评论。