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Groq拟在下一代芯片中引入三维堆叠DRAM

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AI 综述

AI芯片公司Groq正推进在下一代芯片中引入三维堆叠（3DS）DRAM封装，以替代此前速度快但容量较小的SRAM方案。该方案通过硅通孔垂直连接DRAM芯片，旨在保持既有接口的同时缩小面积并提高电力效率，主要应对市场需求转变以实现更高容量的扩展。

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最新进展10月21日 08:45

沿着报道，了解事件的不同侧面。

10月21日

08:45
链捕手 ChainCatcher
AI 芯片公司 Groq 拟在下一代芯片引入三维堆叠 DRAM
AI 芯片公司 Groq 正推进在下一代芯片中引入三维堆叠 DRAM 封装，以替代速度快但容量较小的 SRAM 方案。Groq 评估的 3DS 方案通过硅通孔垂直连接 DRAM 芯片，能在维持既有接口的同时缩小面积并提升电力效率。面对市场对更大容量芯片的需求转变，该设计聚焦于实现更高容量扩展。

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。