三星将采用台积电 3 纳米工艺为英伟达生产定制 HBM 基底裸片
三星电子将采用台积电 3 纳米制程,为英伟达生产下一代定制 HBM 芯片基底裸片。英伟达要求三星、SK 海力士和美光科技统一采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片并使用第六代 DRAM 技术。此外,三星计划继续自主生产标准 HBM 和其他客户的定制产品。
三星电子将采用台积电 3 纳米制程,为英伟达生产下一代定制 HBM 芯片基底裸片。英伟达要求三星、SK 海力士和美光科技统一采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片并使用第六代 DRAM 技术。此外,三星计划继续自主生产标准 HBM 和其他客户的定制产品。
中兴微电子旗下砺睿微在第六届 RISC-V 中国峰会上首次展示珠峰 200,称其为行业首款面向智算中心的高性能 RISC-V CPU 芯片,详细规格将于今年底正式发布。该芯片聚焦 Agent 集群与推理超节点 Host 等场景,针对 KV Cache 与长上下文推理进行优化,并支持 DDR5、PCIe、CXL 互联及 MoE 混合推理方案。
英伟达已要求三星电子、SK 海力士和美光科技为其生产定制化 NVHBM,基底裸片需采用台积电 3nm 制程,核心裸片则采用第六代 DRAM 技术。三星电子已决定接受英伟达的技术要求,但对涉及客户的具体事项不予评论。
美光科技正在研发面向物理 AI 的边缘推理存储器 EIM,通过将 LPDDR 堆叠在逻辑芯片上高速处理推理数据,业内预计将于 2028 年下半年量产。该产品正研究应用于 LPDDR6 以服务自动驾驶与人形机器人等低功耗需求,美光预计未来高性能人形机器人约需 200 GB DRAM 和 4 TB 存储。
AI 计算公司 Tenstorrent 完成 15 亿美元 E 轮融资,投后估值达 62 亿美元,由 Trace Capital 和 Innovation X 领投,Tether Investments 等参投。资金将用于大规模部署 Galaxy 服务器,服务大语言模型与视频生成领域的开放权重模型,并推进其 AI 与 CPU IP 授权业务。
推荐理由:高额融资有助于其推进硬件部署与芯片授权业务,为开发者在开源模型推理领域提供更多算力选择。